SI1029X-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2021/9/30 11:19:32
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SI1029X-T1-GE3屬性

SI1029X-T1-GE3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-89-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 500 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.4 Ohms, 4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 750 pC, 1.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 280 mW
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Dual
正向跨導(dǎo) - 最小值: 200 mS, 100 mS
高度: 0.6 mm
長度: 1.66 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: SI1
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns, 35 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns, 20 ns
寬度: 1.2 mm
零件號別名: SI1029X-GE3
單位重量: 32 mg

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