IRFR5505TRPBF

• 發(fā)布時(shí)間：2021/10/8 11:42:52
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IRFR5505TRPBF屬性

IRFR5505TRPBF描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 16 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.2 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 28 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IRFR5505TRPBF SP001573294
單位重量: 330 mg

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