IPD50R380CE
- 發(fā)布時間：2021/10/12 11:10:20
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IPD50R380CE屬性
- IPD50R380CE
- INFINEON
IPD50R380CE描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14.1 A
Rds On-漏源導通電阻: 380 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 24.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 98 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8.6 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 5.6 ns
系列: IPD50R380
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 35 ns
典型接通延遲時間: 7.2 n
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IPD50R380CE SP001396790
單位重量: 330 mg
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