IKP15N60T

• 發(fā)布時(shí)間：2021/10/15 14:42:55
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IKP15N60T屬性

IKP15N60T描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 26 A
Pd-功率耗散: 110 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 15.95 mm
長度: 10.36 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: IGBTs
商標(biāo)名: TRENCHSTOP
寬度: 4.57 mm
零件號(hào)別名: SP000683064 IKP15N6TXK IKP15N60TXKSA1
單位重量: 6 g

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