IRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF屬性
- IRF5802TRPBF
- INFINEON
IRF5802TRPBF描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 900 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.5 V
Qg-柵極電荷: 4.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 9.2 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.55 S
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 1.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 7.5 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6 ns
寬度: 1.5 mm
零件號(hào)別名: IRF5802TRPBF SP001561828
單位重量: 20 mg