IRF6645TRPBF
- 發(fā)布時間：2021/10/19 10:46:16
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IRF6645TRPBF屬性
- IRF6645TRPBF
- INFINEON
IRF6645TRPBF描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DirectFET-SJ
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.7 A
Rds On-漏源導通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 14 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商標名: DirectFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 5.1 ns
高度: 0.7 mm
長度: 4.85 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
工廠包裝數(shù)量: 4800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 18 ns
典型接通延遲時間: 9.2 ns
寬度: 3.95 mm
零件號別名: IRF6645TRPBF SP001562050
單位重量: 500 mg
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公網(wǎng)安備44030402000607
