SIA906EDJ-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2021/10/28 11:19:14
• 所屬類(lèi)別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SIA906EDJ-T1-GE3屬性

SIA906EDJ-T1-GE3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 46 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 950 pC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 7.8 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時(shí)間: 12 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 14 S
高度: 0.75 mm
長(zhǎng)度: 2.05 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 18 ns
系列: SIA
3000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 2 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
寬度: 2.05 mm
零件號(hào)別名: SIA906EDJ-GE3
單位重量: 28 mg

SIA906EDJ-T1-GE3相關(guān)產(chǎn)品

BSS315P H6327

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IPP052N08N5

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

TLI4961-1M

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): 板機(jī)接口霍耳效應(yīng)/磁性傳感器   RoHS: 詳細(xì)信息

1N4148W-HE3-08

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Vishay   產(chǎn)品種類(lèi): 二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān)   產(chǎn)品: Switching

IRF3205STRLPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IRF3205PBF

  產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息

IRF3205ZSTRLPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   技術(shù): Si   安裝風(fēng)格:

IRLB3036PBF

  產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息