IRFBE30PBF

• 發(fā)布時(shí)間：2021/11/1 11:09:07
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IRFBE30PBF屬性

IRFBE30PBF描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220AB-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 78 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 30 ns
高度: 15.49 mm
長(zhǎng)度: 10.41 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 33 ns
系列: IRFBE
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 82 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 4.7 mm
零件號(hào)別名: IRFBE30PBF-BE3
單位重量: 2 g

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