STP11NM80

• 發(fā)布時間：2021/11/10 10:43:19
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

STP11NM80屬性

STP11NM80描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 400 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 43.6 nC
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8 S
高度: 9.15 mm
長度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
系列: STP11NM80
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 46 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
寬度: 4.6 mm
單位重量: 2 g

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