STP80NF70

• 發(fā)布時間：2021/11/15 11:09:23
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市百潤電子有限公司
• 聯(lián) 系 人：梁小姐
• 

STP80NF70屬性

STP80NF70描述

安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 68 V
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 75 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: STripFET
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 75 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
系列: STP80NF70
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 90 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 2 g

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