IRF6623TR1PBF

• 發(fā)布時(shí)間：2021/11/23 11:05:46
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IRF6623TR1PBF屬性

IRF6623TR1PBF描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DirectFET-ST
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 16 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 11 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 4.5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
高度: 0.7 mm
長(zhǎng)度: 4.85 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 40 ns
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: DirectFET Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9.7 ns
寬度: 3.95 mm
零件號(hào)別名: SP001531670
單位重量: 500 mg

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