IRLMS6702TRPBF
IRLMS6702TRPBF屬性
- IRLMS6702TRPBF
- INFINEON
IRLMS6702TRPBF描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 200 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 5.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.5 mm
零件號別名: IRLMS6702TRPBF SP001578880
單位重量: 20 mg