AT49BV040B-JU

AT49BV040B-JU屬性

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AT49BV040B-JU描述

特征
• 用于讀取和寫入的單電源：2.7V 至 5.5V
• 快速讀取訪問時間 – 70 ns（VCC = 2.7V 至 3.6V）； 55 ns（VCC = 4.5V 至 5.5V）
• 內部程序控制和定時器
• 靈活的部門架構
– 一個帶有編程鎖定的 16K 字節(jié)引導扇區(qū)
– 兩個 8K 字節(jié)的參數扇區(qū)
– 八個主內存扇區(qū)（一個 32K 字節(jié)，七個 64K 字節(jié)）
• 快速擦除周期時間 – 8 秒
• 逐字節(jié)編程——典型值為 10 μs/字節(jié)
• 硬件數據保護
• 用于程序結束檢測的數據輪詢或切換位
• 低功耗
– 20 mA 有源電流
– VCC = 2.7V 至 3.6V 的 25 μA CMOS 待機電流
– VCC = 4.5V 至 5.5V 的 30 μA CMOS 待機電流
• 最少 100,000 個寫周期
1. 說明
AT49BV040B 是一款 2.7V 至 5.5V 的系統(tǒng)內可重編程閃存。它的
4 兆位內存按 8 位組織為 524,288 個字。制造與
Atmel 先進的非易失性 CMOS 技術，該設備提供了一個訪問時間
70 ns（VCC = 2.7V 至 3.6V）和 55 ns 的訪問時間（VCC = 4.5V 至 5.5V）。這
VCC = 2.7V 至 3.6V 的工業(yè)溫度范圍內的功耗為 72
mW，VCC = 4.5V 至 5.5V 時為 110 mW。
當器件被取消選擇時，CMOS 待機電流小于 30 μA。到
允許簡單的系統(tǒng)內重新編程，AT49BV040B 不需要高
用于編程的輸入電壓。從設備讀取數據類似于讀取
來自 EPROM；它具有標準 CE、OE 和 WE 輸入以避免總線爭用。
對 AT49BV040B 的重新編程是通過擦除一個數據扇區(qū)然后
逐字節(jié)編程。字節(jié)編程時間為 10 μs。這
編程或擦除周期的結束可以通過 DATA 輪詢或
切換位功能。一旦檢測到一個字節(jié)程序周期的結束，一個新的
可以開始讀取或程序訪問。典型的編程和擦除次數
循環(huán)次數超過 100,000 次。
通過執(zhí)行芯片擦除或扇區(qū)擦除命令序列來擦除設備；
設備內部控制擦除操作。內存數組
AT49BV040B 被組織成兩個 8K 字節(jié)的參數扇區(qū)，八個主存儲器
扇區(qū)和一個引導扇區(qū)。
設備具有保護引導扇區(qū)數據的能力；這個功能是
由命令序列啟用。 16K 字節(jié)的引導扇區(qū)包括重新編程鎖定功能以提供數據完整性。引導扇區(qū)旨在包含
用戶安全代碼，當啟用該功能時，引導扇區(qū)將受到永久保護，不會被重新編程。

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