IRGIB10B60KD1P

• 發(fā)布時間：2021/11/25 10:52:54
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IRGIB10B60KD1P屬性

IRGIB10B60KD1P描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 16 A
Pd-功率耗散: 44 W
最小工作溫度: - 55 C
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon / IR
高度: 9.02 mm
長度: 10.67 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
2000
子類別: IGBTs
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2.300 g

IRGIB10B60KD1P相關(guān)產(chǎn)品

IR21844STRPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動器   RoHS: 詳細(xì)信息   產(chǎn)品

IRF7853TRPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類: MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IRF7855TRPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類: MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IRGI4045DPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管   技術(shù): Si   封裝

HFA08TB60PBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Vishay   產(chǎn)品種類: 整流器   安裝風(fēng)格: Through Hole  

IRF7832TRPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類: MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IRF7831TRPBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類: MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IRFU430APBF

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似  制造商: Vishay   產(chǎn)品種類: MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息   技術(shù)