STB6NK90ZT4

• 發(fā)布時(shí)間：2021/11/29 11:21:55
• 所屬類(lèi)別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

STB6NK90ZT4屬性

STB6NK90ZT4描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 46.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperMESH
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 20 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5 S
高度: 4.6 mm
長(zhǎng)度: 10.4 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 45 ns
系列: STB6NK90ZT4
1000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel Power MOSFET
類(lèi)型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 17 ns
寬度: 9.35 mm
單位重量: 4 g

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