IRFR13N20DTRPBF

• 發(fā)布時(shí)間：2021/12/3 10:33:40
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IRFR13N20DTRPBF屬性

IRFR13N20DTRPBF描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 235 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Smps MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 17 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

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