IRGP4063DPBF
- 發(fā)布時間：2021/12/10 12:16:41
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IRGP4063DPBF屬性
- IRGP4063DPBF
- INFINEON
IRGP4063DPBF描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2.14 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 96 A
Pd-功率耗散: 330 W
最小工作溫度: - 55 C
系列: Thyristor/Diode Module
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
25
子類別: IGBTs
寬度: 5.31 mm
零件號別名: IRGP4063DPBF SP001549776
單位重量: 38 g
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公網(wǎng)安備44030402000607
