SIHD6N80E-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2022/2/15 10:14:20
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SIHD6N80E-GE3屬性

SIHD6N80E-GE3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 820 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 44 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 18 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.5 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
系列: E
3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
單位重量: 330 mg

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