SPI08N80C3XKSA1

• 發(fā)布時間：2022/2/22 10:26:08
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SPI08N80C3XKSA1屬性

SPI08N80C3XKSA1描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-262-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 560 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 10 ns
高度: 9.45 mm
長度: 10.2 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
系列: CoolMOS C3
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 4.5 mm
單位重量: 2.387 g

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