SPP42N03S2L-13
SPP42N03S2L-13屬性
- SPP42N03S2L-13
- INFINEON
SPP42N03S2L-13描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 42 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 14.5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 42 S / 21 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 12 ns
500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24 ns
典型接通延遲時(shí)間: 6.5 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g