SPU03N60C3

• 發(fā)布時間：2022/2/28 11:30:14
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SPU03N60C3屬性

SPU03N60C3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-251-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
Qg-柵極電荷: 13 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 12 ns
高度: 6.22 mm
長度: 6.73 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
系列: CoolMOS C3
1500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 64 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
寬度: 2.38 mm
零件號別名: SP000095849 SPU3N6C3XK SPU03N60C3BKMA1
單位重量: 340 mg

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