STW48N60M2
STW48N60M2屬性
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STW48N60M2描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 42 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 119 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 17 ns
系列: STW48N60M2
600
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 13 ns
典型接通延遲時(shí)間: 18.5 ns
單位重量: 6 g