STS4DNF60L

• 發(fā)布時(shí)間：2022/3/10 11:12:16
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

STS4DNF60L屬性

STS4DNF60L描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: STripFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Dual
下降時(shí)間: 10 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 25 S
高度: 1.65 mm
長(zhǎng)度: 5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 28 ns
系列: STS4DNF60L
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel Power MOSFET
類型: Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 45 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
寬度: 4 mm
單位重量: 85 mg

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