FDC6327C

• 發(fā)布時(shí)間：2022/4/2 10:49:39
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

FDC6327C屬性

FDC6327C描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.7 A, 1.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 69 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV, 1.5 V
Qg-柵極電荷: 4.5 nC, 4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 mW
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降時(shí)間: 3 ns, 3 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7.7 S, 4.5 S
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns, 14 ns
系列: FDC6327C
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns, 14 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5 ns, 7 ns
寬度: 1.6 mm
零件號(hào)別名: FDC6327C_NL
單位重量: 36 mg

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