BSS84LT1G

• 發(fā)布時(shí)間：2022/4/2 11:49:03
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

BSS84LT1G屬性

BSS84LT1G描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 50 V
Id-連續(xù)漏極電流: 130 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 2.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 225 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi
配置: Single
下降時(shí)間: 1.7 ns
高度: 0.94 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9.7 ns
系列: BSS84L
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 12 ns
典型接通延遲時(shí)間: 3.6 ns
寬度: 1.3 mm
單位重量: 8 mg

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