FDC6333C

• 發(fā)布時間：2022/4/6 11:11:10
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

FDC6333C屬性

FDC6333C描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A, 2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V, - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 3 V
Qg-柵極電荷: 6.6 nC, 5.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 mW
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降時間: 6 ns, 13 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S, 3 S
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns, 13 ns
系列: FDC6333C
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns, 11 ns
典型接通延遲時間: 4.5 ns, 4.5 ns
寬度: 1.6 mm
零件號別名: FDC6333C_NL
單位重量: 36 mg

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