FDN308P

• 發(fā)布時間：2022/4/7 17:30:55
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

FDN308P屬性

FDN308P描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 86 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 5.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 12 S
高度: 1.12 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: FDN308P
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
寬度: 1.4 mm
零件號別名: FDN308P_NL
單位重量: 30 mg

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