FDC658P
FDC658P屬性
- FDC658P
- ON
FDC658P描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-6
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
系列: FDC658P
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 24 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 1.6 mm
零件號(hào)別名: FDC658P_NL
單位重量: 36 mg