2N7000
- 發(fā)布時間：2022/4/13 11:43:13
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
2N7000屬性
- 2N7000
- ON
2N7000描述
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-92-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 350 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Bulk
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
正向跨導 - 最小值: 0.1 S
高度: 5.33 mm
長度: 5.2 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
系列: 2N7000
10000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: FET
寬度: 4.19 mm
零件號別名: 2N7000_NL
單位重量: 453.600 mg
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公網(wǎng)安備44030402000607
