PMV213SN T/R
PMV213SN T/R屬性
- PMV213SN T/R
- NXP
PMV213SN T/R描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: NXP
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 250 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): NXP Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 3 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 5 ns
3000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 9.5 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5.5 ns
零件號(hào)別名: PMV213SN,215
單位重量: 8 mg