SPW47N60C3

• 發(fā)布時間：2022/4/21 17:29:24
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

SPW47N60C3屬性

SPW47N60C3描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid SPW47N60C3
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1918651822
零件包裝代碼 TO-247AC
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數(shù) 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 1.81
Samacsys Description N-channel MOSFET,SPW47N60C3 47A 650V
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 1800 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 47 A
最大漏極電流 (ID) 47 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.07 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-247AC
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 415 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 141 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON

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