BAS21LT1G

BAS21LT1G屬性

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BAS21LT1G描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid BAS21LT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2008538116
零件包裝代碼 SOT-23
包裝說明 R-PDSO-G3
針數(shù) 3
制造商包裝代碼 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.10.00.70
Factory Lead Time 57 weeks
風險等級 0.72
Samacsys Description 250 V Switching Diode
Samacsys Manufacturer onsemi
配置 SINGLE
二極管元件材料 SILICON
二極管類型 RECTIFIER DIODE
最大正向電壓 (VF) 1 V
JEDEC-95代碼 TO-236AB
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
最大非重復峰值正向電流 0.625 A
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
最大輸出電流 0.2 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
最大功率耗散 0.225 W
認證狀態(tài) Not Qualified
最大重復峰值反向電壓 250 V
最大反向恢復時間 0.05 μs
子類別 Rectifier Diodes
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 40

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