NVMFS5C426NWFAFT1G

• 發(fā)布時(shí)間：2022/4/29 15:16:35
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市瑞卓芯科技有限公司

NVMFS5C426NWFAFT1G屬性

NVMFS5C426NWFAFT1G描述

NVMFS5C426NWFAFT1G DFN8 ON/安森美 原裝正品現(xiàn)貨
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8FL
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 41 A, 235 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W, 128 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi
配置: Single
下降時(shí)間: 9 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 47 ns
1500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 36 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
單位重量: 187 mg
安森美半導(dǎo)體通過(guò)推動(dòng)顛覆性創(chuàng)新，助力打造更美好的未來(lái)。該公司專注于汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)，正在加快在汽車電氣化和安全、工業(yè)自動(dòng)化、可持續(xù)能源電網(wǎng)以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域的大趨勢(shì)變革。憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品組合，安森美半導(dǎo)體創(chuàng)造了能夠應(yīng)對(duì)復(fù)雜挑戰(zhàn)的智能電源和傳感技術(shù)，并致力于打造更清潔、更安全、更智能的世界。安森美半導(dǎo)體制定了響應(yīng)迅速、可靠的供應(yīng)鏈和質(zhì)量計(jì)劃以及強(qiáng)大的ESG程序，在關(guān)鍵市場(chǎng)擁有由制造工廠、銷售和營(yíng)銷辦公室以及工程中心組成的全球網(wǎng)絡(luò)。

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