FQD50N06
FQD50N06屬性
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FQD50N06描述
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詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng)
參數(shù)值
Source Content uid FQD5N60C
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1991323535
包裝說(shuō)明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數(shù) 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 5.28
雪崩能效等級(jí)(Eas) 210 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 2.8 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 2.5 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類(lèi)型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 11.2 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 NOT SPECIFIED
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
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