IPA70R360P7S
IPA70R360P7S屬性
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IPA70R360P7S描述
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詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8224715514
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級 5.76
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 700 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 12.5 A
最大漏極電流 (ID) 12.5 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 12.5 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-281
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度(攝氏度) NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 26.5 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 34 A
表面貼裝 NO
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間 NOT SPECIFIED
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
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