IR2101STRPBF
IR2101STRPBF屬性
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IR2101STRPBF描述
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詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid IR2101STRPBF
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006004665
包裝說明 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.39.00.01
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.22
Samacsys Description High and Low Side Driver SOIC8 Infineon IR2101STRPBF, Dual MOSFET Power Driver, 360mA, 10 → 20 V, Non-Inverting, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer Infineon
高邊驅(qū)動器 YES
接口集成電路類型 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
長度 4.9 mm
濕度敏感等級 2
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 8
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
標稱輸出峰值電流 0.36 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝等效代碼 SOP8,.25
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
電源 15 V
認證狀態(tài) Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
子類別 MOSFET Drivers
最大供電電壓 20 V
最小供電電壓 10 V
標稱供電電壓 15 V
電源電壓1-最大 620 V
電源電壓1-分鐘 5 V
表面貼裝 YES
技術 CMOS
溫度等級 AUTOMOTIVE
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子節(jié)距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
斷開時間 0.22 µs
接通時間 0.22 µs
寬度 3.9 mm
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