IRFH5010TRPBF
IRFH5010TRPBF屬性
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IRFH5010TRPBF描述
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詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid IRFH5010TRPBF
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006010066
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風(fēng)險等級 1.2
Samacsys Description International Rectifier IRFH5010TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 100 V, 8-Pin PQFN
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2020-04-17 07:02:53
雪崩能效等級(Eas) 227 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 13 A
最大漏極電流 (ID) 13 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.009 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-N5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 400 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON