SKiiP03NAC12T4V1
SKiiP03NAC12T4V1屬性
- 各種設(shè)備
- 0
- 西門(mén)康
SKiiP03NAC12T4V1描述
SKiiP03NAC12T4V1
品牌:西門(mén)康
電流:30A
電壓:1200V
工作溫度(Max):150℃
工作溫度(Min):-40℃
安裝方式:螺絲型
包裝方式:標(biāo)準(zhǔn)封裝
貨期期:2天
庫(kù)存:910
發(fā)貨地:江蘇蘇州
IGBT的基本特性
1、 靜態(tài)特性
。1) 輸出特性:是UGE一定時(shí)集電極電流Ic與集電極-發(fā)射極電壓UCE的函數(shù)關(guān)系,即Ic=f(UCE)。
IGBT的輸出特性。UGE=0的曲線對(duì)應(yīng)于IGBT處于斷態(tài)。在線性導(dǎo)電區(qū)I,UCE增大,Ic增大。在恒流飽和區(qū)Ⅱ,對(duì)于一定的UGE,UCE增大,IC不再隨UCE而增大。{{分頁(yè)}}
在UCE為負(fù)值的反壓下,其特性曲線類(lèi)似于三極管的反向阻斷特性。
為了使IGBT安全運(yùn)行,它承受的外加壓、反向電壓應(yīng)小于正、反向折轉(zhuǎn)擊穿電壓。
。2) 轉(zhuǎn)移特性:(d)所示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數(shù)關(guān)系,即Ic=f(UGE)。
當(dāng)UGE小于開(kāi)啟閾值電壓UGE th時(shí),等效MOSFET中不能形成導(dǎo)電溝道;因此IGBT處于斷態(tài)。當(dāng)UGE>UGE th后,隨著UGE的增大,Ic顯著上升。實(shí)際運(yùn)行中,外加電壓UGE的最大值UGEM一般不超過(guò)15V,以限制Ic 不超過(guò)IGBT管的允許值ICM。IGBT在額定電流時(shí)的通態(tài)壓降一般為1.5~3V。其通態(tài)壓降常在其電流較大(接近額定值)時(shí)具有正的溫度系數(shù)(Ic增大時(shí),管壓降大);因此在幾個(gè)IGBT并聯(lián)使用時(shí)IGBT器件具有電流自動(dòng)調(diào)節(jié)均流的能力,這就使多個(gè)IGBT易于并聯(lián)使用。
2、 動(dòng)態(tài)特性
IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。開(kāi)通過(guò)程的特性類(lèi)似于MOSFET;因?yàn)樵谶@個(gè)區(qū)間,IGBT大部分時(shí)間作為MOSFET運(yùn)行。開(kāi)通時(shí)間由4個(gè)部分組成。開(kāi)通延遲時(shí)間td是外施柵極脈沖從負(fù)到正跳變開(kāi)始,到柵-射電壓充電到UGE th的時(shí)間。這以后集電極電流從0開(kāi)始上升,到90%穩(wěn)態(tài)值的時(shí)間為電流上升時(shí)間tri。在這兩個(gè)時(shí)間內(nèi),集-射極間電壓UCE基本不變。此后,UCE開(kāi)始下降。下降時(shí)間tfu1是MOSFET工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間;因此,IGBT開(kāi)通時(shí)間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
開(kāi)通過(guò)程中,在td、tr時(shí)間內(nèi),柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電,且按指數(shù)規(guī)律上升,在tfu1、tfu2這一時(shí)間段內(nèi)MOSFET開(kāi)通,流過(guò)對(duì)GTR的驅(qū)動(dòng)電流,柵-射極電壓基本維持IGBT完全導(dǎo)通后驅(qū)動(dòng)過(guò)程結(jié)束。柵-射極電壓再次按指數(shù)規(guī)律上升到外施柵極電壓值。
IGBT關(guān)斷時(shí),在外施柵極反向電壓作用下,MOSFET輸入電容放電,內(nèi)部PNP晶體管仍然導(dǎo)通,在最初階段里,關(guān)斷的延遲時(shí)間td和電壓UCE的上升時(shí)間tr,由IGBT中的MOSFET決定。關(guān)斷時(shí)IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分,其中,tfi1由MOSFET決定,對(duì)應(yīng)于MOSFET的關(guān)斷過(guò)程;tfi2由PNP晶體管中存儲(chǔ)電荷所決定。因?yàn)樵趖fi1末尾MOSFET已關(guān)斷,IGBT又無(wú)反向電壓,體內(nèi)的存儲(chǔ)電荷難以被迅速消除;所以漏極電流有較長(zhǎng)的下降時(shí)間。因?yàn)榇藭r(shí)漏源電壓已建立,過(guò)長(zhǎng)的下降時(shí)間會(huì)產(chǎn)生較大的功耗,使結(jié)溫增高;所以希望下降時(shí)間越短越好。
3、 擎住效應(yīng)
(b)電路可以看到IGBT內(nèi)部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于一個(gè)晶閘管。內(nèi)部體區(qū)電阻Rbr上的電壓降為一個(gè)正向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發(fā)射極之間。當(dāng)IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)和處于正常穩(wěn)定通態(tài)時(shí)(ic不超過(guò)允許值時(shí)),Rbr上的壓降都很小,不足以產(chǎn)生T2的基極電流,T2不起作用。但如果ic瞬時(shí)過(guò)大,Rbr上壓降過(guò)大,則可能使T2導(dǎo)通,而一旦T2導(dǎo)通,即使撤除門(mén)極電壓UGE,IGBT仍然會(huì)像晶閘管一樣處于通態(tài),使門(mén)極G失去控制作用,這種現(xiàn)象稱(chēng)為擎住效應(yīng)。在IGBT的設(shè)計(jì)制造時(shí)已盡可能地降低體區(qū)電阻Rbr,使IGBT的集電極電流在最大允許值ICM時(shí),Rbr上的壓降仍小于T2管的起始導(dǎo)電所必需的正偏壓。但在實(shí)際工作中ic一旦過(guò)大,則可能出現(xiàn)擎住效應(yīng)。如果外電路不能限制ic的增長(zhǎng),則可能損壞器件。{{分頁(yè)}}
除過(guò)大的ic可能產(chǎn)生擎住效應(yīng)外,當(dāng)IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí),如果集電極電源電壓過(guò)高,使T1管漏電流過(guò)大,也可能在Rbr上產(chǎn)生過(guò)高的壓降,使T2導(dǎo)通而出現(xiàn)擎住效應(yīng)。
可能出現(xiàn)擎住效應(yīng)的第三個(gè)情況是:在關(guān)斷過(guò)程中,MOSFET的關(guān)斷十分迅速,MOSFET關(guān)斷后圖1(b)中三極管T2的J2結(jié)反偏電壓UBA增大,MOSFET關(guān)斷得越快,集電極電流ic減小得越快,則UCA=Es-R
西門(mén)康 SKiiP01NAC066V3
西門(mén)康 SKiiP01NEB066V3
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西門(mén)康 SKiiP82ANB15T1
西門(mén)康 SKiiP82ANB15T10
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