SI1967DH-T1-BE3
SI1967DH-T1-BE3屬性
- 0
- SC70-6
- 0
- VISHAY/威世
SI1967DH-T1-BE3描述
參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 1714850175
零件包裝代碼 SC-70
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
針數(shù) 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險等級 6.83
Samacsys Description MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2020-10-23 06:25:37
YTEOL 6.98
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 20 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 1.3 A
最大漏極電流 (ID) 1 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.49 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G6
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 2
端子數(shù)量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1.25 W
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 Other Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON