IXFH80N65X2
- 發(fā)布時間：2023/2/14 14:43:35
- 所屬類別：二極管 » 橋堆/整流橋/橋式整流器
- 公 司：深圳市樂得芯科技有限公司
IXFH80N65X2屬性
- MOSFET MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
- TO-247
- IXYS/艾賽斯
IXFH80N65X2描述
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.7 V
Qg-柵極電荷: 143 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HiPerFET
系列: 650V Ultra Junction X2
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
配置: Single
下降時間: 11 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 36 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 42 ns
30
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 40 ns
單位重量: 6 g
IXFH80N65X2相關(guān)產(chǎn)品
- LM74610QDGKRQ1
- 制造商: Texas Instruments 產(chǎn)品種類: 熱交換電壓控制器 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品: Contr
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- 全新原裝現(xiàn)貨，特價供應(yīng)
公網(wǎng)安備44030402000607
