SQJ469EP-T1_GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2023/3/23 10:31:09
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

SQJ469EP-T1_GE3屬性

SQJ469EP-T1_GE3描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否Rohs認(rèn)證 符合 符合
生命周期 Not Recommended
Objectid 1800801390
包裝說(shuō)明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 7.06
Samacsys Description MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
Samacsys Manufacturer Vishay
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 3
雪崩能效等級(jí)（Eas） 101 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 80 V
最大漏極電流 (ID) 32 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.025 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G4
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 128 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管元件材料 SILICON

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