TC58NYG2S0HBAI4

• 發(fā)布時間：2023/4/28 22:20:50
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市利源芯科技有限公司

TC58NYG2S0HBAI4屬性

TC58NYG2S0HBAI4描述

TC58NYG2S0HBAI4是一個1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 bits) NAND，可電擦除
可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)組織為(4096 + 256)字節(jié)64頁2048塊。
該設(shè)備有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)在設(shè)備之間傳輸
寄存器和內(nèi)存單元數(shù)組以4352字節(jié)為增量。Erase操作在單個塊中實現(xiàn)
單位(256 kb + 16 kb: 4352字節(jié)64頁)。
TC58NYG2S0HBAI4是一種串行型存儲設(shè)備，它利用I/O引腳來存儲地址和數(shù)據(jù)
輸入/輸出以及命令輸入。擦除和程序操作自動執(zhí)行，使
該設(shè)備最適合于固態(tài)文件存儲、錄音、圖像文件存儲等應(yīng)用
攝像機(jī)和其他需要高密度非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。

TC58NYG2S0HBAI4相關(guān)產(chǎn)品

TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00是一個3.3V 2 Gbit(2,214,592,512位)NAND，可電擦除和可編程  只讀存儲器(NAND E2PR

MT25QL01GBBB8E12-0SIT

MT25QL01GBBB8E12-0SIT特性  •堆疊設(shè)備(兩個512Mb芯片)  •spi兼容串行總線接口&nb

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E  •開放NAND閃存接口(ONFI) 1.0兼容1  •單級電池(SLC

MT29F2G08ABAGAH4-IT:G

MT29F2G08ABAGAH4-IT:G  •開放NAND閃存接口(ONFI) 1.0兼容1  •單級電池(SLC

MT28EW01GABA1LPC-0SIT

MT28EW01GABA1LPC-0SIT特性  •單級電池(SLC)工藝技術(shù)  •密度:1Gb  

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D特性  •開放NAND閃存接口(ONFI) 1.0兼容1  •單級電池(S

MT29F4G08ABADAH4-IT:D

MT29F4G08ABADAH4-IT:D特性  •開放NAND閃存接口(ONFI) 1.0兼容1  •單級電池(S

MT29F4G08ABADAH4:D

MT29F4G08ABADAH4:D特性  •開放NAND閃存接口(ONFI) 1.0兼容1  •單級電池(SLC)