SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3屬性
- SI2323DS-T1-E3
- SI2323DS-T1-E3
- VISHAY
SI2323DS-T1-E3描述
數(shù)據(jù)列表 SI2323DS
產(chǎn)品相片 SOT-23
產(chǎn)品目錄繪圖 SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
標準包裝 3,000
類別 分離式半導體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C 3.7A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 39 毫歐 @ 4.7A, 4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs 19nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1020pF @ 10V
功率 - 最大 750mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)
包裝 帶卷 (TR)
產(chǎn)品目錄頁面 1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱 SI2323DS-T1-E3TR
原裝 現(xiàn)貨 大量 特價供應聯(lián)系電話0755-29050225/81483445 朱先生/朱小姐 深
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