GAL20V8B-10LJ 中國實體店

GAL20V8B-10LJ 中國實體店屬性

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GAL20V8B-10LJ 中國實體店描述

可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內容可由用戶根據自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only Time Programmable）。
可改寫的只讀存儲器EPROM： 前兩種ROM只能進行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因為它的內容可以通過紫外線照射而徹底擦除，擦除后又可重新寫入新的程序。
可電改寫只讀存儲器（EEPROM）：
EEPROM可用電的方法寫入和清除其內容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有與RAM一樣讀寫操作簡便，又有數據不會因掉電而丟失的優(yōu)點，因而使用極為方便�，F(xiàn)在這種存儲器的使用最為廣泛。
隨機存儲器（RAM）： 這種存儲器又叫讀寫存儲器。它不僅能讀取存放在存儲單元中的數據，還能隨時寫入新的數據，寫入后原來的數據就丟失了。斷電后RAM中的信息全部丟失。因些，RAM常用于存放經常要改變的程序或中間計算結果等信息。RAM按照存儲信息的方式，又可分為靜態(tài)和動態(tài)兩種。 1、靜態(tài)SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數據就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。

可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器： 這種存儲器的特點是：從原理上看，它們屬于ROM型存儲器，從功能上看，它們又可以隨時改寫信息，作用又相當于RAM。所以，ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義。

快擦寫存儲器（FLASH） 這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎上產生的一種非易失性存儲器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點，所以發(fā)展迅速。 鐵電存儲器FRAM它是利用鐵電材料極化方向來存儲數據的。它的特點是集成度高，讀寫速度快，成本低，讀寫周期短。

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