PWB2010LD
PWB2010LD 屬性
- 70
- 通信設(shè)備,工業(yè)控制系統(tǒng),醫(yī)療軍工等行業(yè)
- PWB2010LD
- 75
- coilcraft
PWB2010LD 描述
2013年6月5日 – 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用,作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長。
這兩款器件符合RoHS指令,適合于單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池應(yīng)用,提供領(lǐng)先業(yè)界的導(dǎo)通阻抗 (RDS(on))性能水平,使用平面柵格陣列 (LGA) 結(jié)構(gòu),以提供小型的低高度設(shè)計(jì),使其適合用于通?臻g受限的智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓 (VSSS) 為24伏 (V),EFC6602R的額定最大VSSS為12 V。兩款器件都采用2.5 V供電電壓工作,采用共漏極結(jié)構(gòu),包含內(nèi)置保護(hù)二極管。
立即下載EFC6601R數(shù)據(jù)手冊:EFC6601R_datasheet.pdf
立即下載EFC6602R數(shù)據(jù)手冊:EFC6602R_datasheet.PDF
安森美半導(dǎo)體的三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品部 MOS 產(chǎn)品總經(jīng)理秋庭隆史說:“自從鋰離子電池面市以來,安森美半導(dǎo)體一直在開發(fā)及提供充電/放電保護(hù)電路開關(guān) MOSFET。我們積累的專知和技術(shù)使我們能夠開發(fā)出這些微型器件,更進(jìn)一步延長電池使用時(shí)間及提升能效。”
安森美半導(dǎo)體計(jì)劃在年內(nèi)再增添5款EFC系列MOSFET器件,幫助從事更寬廣范圍的移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)減小方案尺寸及延長電池使用時(shí)間的應(yīng)用目標(biāo)。
OV7950-C48N
OV7950-F48V
OV7955-E53V-PD
OV7959-C48A (CLCC)
OV7960-C48P
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
OV9665
OV9710-HDDV
OV9712-V28A
OV9715-V28A
OV9715-F48Y
OV9726-A40A
OV9740-A46A
OV9810-A70A
OV14825-A16A
OV4680
OVP2200
封裝及價(jià)格
EFC6601R及EFC6602R采用無鹵素EFCP封裝,每5,000片批量的單價(jià)分別為0.80 和1.00美元。