RA55H3340M

• 發(fā)布時間：2019/12/4 12:47:02
• 所屬類別：模塊 » PIM模塊
• 公    司：深圳市萊利爾科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：李先生
• 

RA55H3340M屬性

RA55H3340M描述

RA55H3340M是55-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在330-400-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流漏極和RF衰減輸入信號的最高60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓增加.與周圍4V柵極電壓（最�。�，輸出功率和漏電流大幅增加.標稱輸出功率變在4.5V（典型值），5V可用（最大）.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調(diào)頻調(diào)制，但也可能是線性調(diào)制使用設(shè)置排水靜態(tài)電流與柵極電壓和控制輸出功率與輸入功率.


特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>55W,ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•寬帶頻率范圍：330-400MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.

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