MSD7342-472MLC

• 發(fā)布時(shí)間：2014/9/10 15:54:18
• 所屬類別：電感、線圈 » 線繞電感
• 公    司：深圳恒信鴻達(dá)電子有限公司

MSD7342-472MLC 屬性

MSD7342-472MLC 描述

今天，不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場(chǎng)上，電子設(shè)計(jì)人員首選可以實(shí)現(xiàn)高能效的器件，而且要針對(duì)不同應(yīng)用選擇合適的IGBT。推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體提供豐富的分立式IGBT方案，廣泛用于電磁爐、不間斷電源(UPS )、太陽能逆變器和逆變電焊機(jī)等領(lǐng)域。

IGBT技術(shù)概述
IGBT有強(qiáng)耐能量沖擊能力和強(qiáng)耐短路電流能力 (5至10微秒)�，F(xiàn)有IGBT包括溝道非穿通型 (NPT)、溝道場(chǎng)截止型 (FS) 第一代和溝道場(chǎng)截止型第二代IGBT等類型。隨著制造工藝的進(jìn)步，開始采用50微米晶圓及金屬背板，超薄晶圓及其背面處理工藝減少了IGBT的導(dǎo)通和開關(guān)損耗。

對(duì)比溝道非穿通型和溝道場(chǎng)截止型IGBT可以發(fā)現(xiàn)，前者的電場(chǎng)強(qiáng)度在硅漂移區(qū) (n-FZ)線性遞減到0，硅漂移區(qū)厚度與耐壓成線性正比，因此具有高導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷損耗；后者用N緩沖層減少了硅漂移區(qū)的厚度，實(shí)現(xiàn)了超薄晶圓，從而實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通壓降和低關(guān)斷損耗 (圖1)。



圖1：溝道非穿通型和溝道場(chǎng)截止型IGBT對(duì)比


從技術(shù)趨勢(shì)看，6至8英寸晶圓的厚度在不斷縮減，從最初的250 μm到目前生產(chǎn)的100 μm和75 μm，還有50 μm和40 μm厚度正在研發(fā)當(dāng)中。可以預(yù)期，今后IGBT的性能仍有望提高。OV7950-F48V
OV7955-E53V-PD
OV7959-C48A (CLCC)
OV7960-C48P
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
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OV9710-HDDV
OV9712-V28A
OV9715-V28A
OV9715-F48Y
OV9726-A40A
OV9740-A46A
OV9810-A70A
OV14825-A16A
OV4680
OVP2200
SOI268 / 2681 BW
SOI268 / 2681 IR
SOI763A
SQ608-L
SQ908-L


安森美半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)品及應(yīng)用市場(chǎng)
安森美半導(dǎo)體提供完善的IGBT產(chǎn)品系列，可以根據(jù)頻率、應(yīng)用和電壓進(jìn)行分類 (表1)，不同產(chǎn)品有不同的特性和應(yīng)用范圍。

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