雙通道集成 RF前端多芯片模塊
發(fā)布時(shí)間:2021/11/29 15:04:36 訪問次數(shù):956
adrf5515a
雙通道,3.3 ghz 至 4.0 ghz,20 w 接收器前端
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn):
集成式雙通道 rf 前端
2 級(jí) lna 和高功率硅 spdt 交換芯片
片內(nèi)偏置和匹配
單電源供電
tcase = 105°c 時(shí)具有高功率處理能力
lte 平均功率 (9 db par) 整個(gè)生命周期:43 dbm
增益
高增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 36 db(典型值)
低增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 17 db(典型值)
低噪聲指數(shù)
高增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 1.05 db(典型值)
低增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 1.05 db(典型值)
高隔離
rxout-cha 和 rxout-chb:47 db(典型值)
term-cha 和 term-chb:75 db(典型值)
低插入損耗:3.6 ghz 時(shí)為 0.5 db(典型值)
高 oip3:35 dbm(典型值)
關(guān)斷模式和低增益模式
低電源電流
高增益模式:5 v 時(shí)為 95 ma(典型值)
低增益模式:5 v 時(shí)為 48 ma(典型值)
關(guān)斷模式:5 v 時(shí)為 13 ma(典型值)
正邏輯控制
應(yīng)用:
無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
tdd 大規(guī)模多輸入
和多輸出以及有源天線系統(tǒng)
基于 tdd 的通信系統(tǒng)
產(chǎn)品分類
rf和微波
大規(guī)模 mimo 接收器前端 ic
領(lǐng)域
通信
產(chǎn)品詳情:
adrf5515a
是一款雙通道、集成 rf、
前端、多芯片模塊,
設(shè)計(jì)用于時(shí)分雙工 (tdd) 應(yīng)用。
采用雙通道配置,
包含級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪聲放大器 (lna)
高功率硅單刀雙擲 (spdt) 交換芯片。
在高增益模式下,級(jí)聯(lián)兩級(jí) lna
和開關(guān)提供 1.05 db 的低噪聲指數(shù)
和 36 db 的高增益(頻率為 3.6 ghz)
35 dbm(典型值)輸出 3 階交調(diào)點(diǎn) (oip3)。
在低增益模式下,
兩級(jí) lna 的一級(jí)處于旁路狀態(tài),
在 48 ma 的較低電流下
提供 17 db 的增益。
在關(guān)斷模式下,lna 將關(guān)閉,
套件流耗為 13 ma。
符合 rohs 要求、
緊湊型 6mm×6mm、
40 引腳引線框架芯片級(jí)封裝(lfcsp)。
素材:analog。版權(quán)歸屬原作者。圖片供參考
adrf5515a
雙通道,3.3 ghz 至 4.0 ghz,20 w 接收器前端
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn):
集成式雙通道 rf 前端
2 級(jí) lna 和高功率硅 spdt 交換芯片
片內(nèi)偏置和匹配
單電源供電
tcase = 105°c 時(shí)具有高功率處理能力
lte 平均功率 (9 db par) 整個(gè)生命周期:43 dbm
增益
高增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 36 db(典型值)
低增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 17 db(典型值)
低噪聲指數(shù)
高增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 1.05 db(典型值)
低增益模式:3.6 ghz 時(shí)為 1.05 db(典型值)
高隔離
rxout-cha 和 rxout-chb:47 db(典型值)
term-cha 和 term-chb:75 db(典型值)
低插入損耗:3.6 ghz 時(shí)為 0.5 db(典型值)
高 oip3:35 dbm(典型值)
關(guān)斷模式和低增益模式
低電源電流
高增益模式:5 v 時(shí)為 95 ma(典型值)
低增益模式:5 v 時(shí)為 48 ma(典型值)
關(guān)斷模式:5 v 時(shí)為 13 ma(典型值)
正邏輯控制
應(yīng)用:
無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
tdd 大規(guī)模多輸入
和多輸出以及有源天線系統(tǒng)
基于 tdd 的通信系統(tǒng)
產(chǎn)品分類
rf和微波
大規(guī)模 mimo 接收器前端 ic
領(lǐng)域
通信
產(chǎn)品詳情:
adrf5515a
是一款雙通道、集成 rf、
前端、多芯片模塊,
設(shè)計(jì)用于時(shí)分雙工 (tdd) 應(yīng)用。
采用雙通道配置,
包含級(jí)聯(lián)兩級(jí)低噪聲放大器 (lna)
高功率硅單刀雙擲 (spdt) 交換芯片。
在高增益模式下,級(jí)聯(lián)兩級(jí) lna
和開關(guān)提供 1.05 db 的低噪聲指數(shù)
和 36 db 的高增益(頻率為 3.6 ghz)
35 dbm(典型值)輸出 3 階交調(diào)點(diǎn) (oip3)。
在低增益模式下,
兩級(jí) lna 的一級(jí)處于旁路狀態(tài),
在 48 ma 的較低電流下
提供 17 db 的增益。
在關(guān)斷模式下,lna 將關(guān)閉,
套件流耗為 13 ma。
符合 rohs 要求、
緊湊型 6mm×6mm、
40 引腳引線框架芯片級(jí)封裝(lfcsp)。
素材:analog。版權(quán)歸屬原作者。圖片供參考
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