NCN5150DR2G數(shù)據(jù)列表 NCN5150
PCN 組件/產(chǎn)地 Installation of Back Grind 21/Dec/2013
Back Grind Installation 09/Sep/2014
標(biāo)準(zhǔn)包裝 ? 3,000
類(lèi)別 集成電路（IC）
家庭 接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
類(lèi)型 收發(fā)器
協(xié)議 M-Bus
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù) 1/1
雙工 半
接收器滯后 -
數(shù)據(jù)速率 -
電壓 - 電源 3.1 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型 表面貼裝
封裝/外殼 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 16-SOIC
其它名稱(chēng) NCN5150DR2GOSTR
Vishay推出符合WPC(無(wú)線充電聯(lián)盟)標(biāo)準(zhǔn)的新款無(wú)線充電發(fā)射線圈---IWTX-4646BE-50，其可用于Qi無(wú)線充電底座。新的Vishay Dale IWTX-4646BE-50采用耐用的結(jié)構(gòu)和高磁導(dǎo)率的屏蔽，在19V輸入電壓下，使用符合WPC的傳輸和接收芯片組及Vishay Dale IWAS-4832FF-50接收線圈，2.7mm間隔情況下的效率超過(guò)70%。
IWTX-4646BE-50可與Vishay符合WPC的無(wú)線接收線圈配套使用，高飽和度鐵粉不受永磁定位磁鐵的影響。尺寸更大的鐵氧體線圈在強(qiáng)磁場(chǎng)下會(huì)飽和，IWTX-4646BE-50在4000高斯磁場(chǎng)下的磁飽和為50%，可替代此類(lèi)線圈。
NCN5150DR2G
器件符合RoHS，在200kHz下的電感為24μH，電感公差為±5%，在+25℃下的DCR為71mΩ(± 10%)，200kHz下的典型Q值為185。發(fā)射線圈的引線長(zhǎng)40mm，鍍錫部分的長(zhǎng)度為5mm，熱額定電流為6A，飽和電流為20A，自諧振頻率為7MHz。器件正在申請(qǐng)AEC-Q200認(rèn)證，預(yù)計(jì)在2015年1季度完成認(rèn)證，將用于汽車(chē)電子產(chǎn)品。
