OCP8155是一款集成了650V MOSFET高精度離線式LED恒流驅動芯片，可應用于輸出功率以內的LED恒流驅動電源，支持全電壓輸入AC85V~265V。芯片封裝形式：DIP-8L，利用原邊反饋技術，無需TL431、光耦和反饋電路便能實現(xiàn)很好的線電壓調整率和負載調整率，極大的節(jié)約了系統(tǒng)成本和尺寸空間。
OCP8155具備完善的保護功能，其利用VCC腳進行過壓檢測，一旦檢測到過壓信號芯片便進入打嗝工作狀態(tài)；芯片利用FB管腳實現(xiàn)了短路檢測，一旦發(fā)現(xiàn)短路信號芯片便會進入較低的工作頻率以限制輸出功率，同時芯片還具備LED開短路保護、FB短路保護、欠壓鎖定和過溫保護功能以保證整個系統(tǒng)在惡劣的工作環(huán)境中安全可靠的工作。
特征：
z集成650V功率MOSFET
z采用原邊反饋技術，無需次級反饋電路
z無需環(huán)路補償
z±3%的恒流精度
z支持AC85V~265V全電壓范圍輸入
zLED開路保護和短路保護
zFB對地短路保護
z芯片過溫保護
z欠壓鎖定功能
zCS腳電阻開路保護
z工作溫度范圍：TA=-40 ~ 85℃
zDIP-8L封裝
應用： LED日光燈 E27、Par燈、筒燈 LED球泡燈、射燈 其他LED照明
格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內首個多節(jié)點FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，12FDXTM提供全節(jié)點縮放和超低功耗，并通過軟件控制實現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。
隨著數以百萬計的互聯(lián)設備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內的越來越多的組件，這不斷驅動著對超低功耗的需求。格羅方德半導體全新的12FDX工藝正是專為實現(xiàn)這前所未有的系統(tǒng)集成度、設計靈活性和功耗調節(jié)而設計。
12FDX為系統(tǒng)集成樹立了全新標準，提供了一個將射頻(RF)、模擬、嵌入式存儲和高級邏輯整合到一個芯片的優(yōu)化平臺。此外，該工藝還通過軟件控制晶體管實現(xiàn)按需提供峰值性能，同時平衡靜態(tài)和動態(tài)功耗以取得頂級能效，實現(xiàn)業(yè)內最廣泛的動態(tài)電壓調節(jié)和無與倫比的設計靈活性。
格羅方德半導體首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“某些應用需要FinFET晶體管的高級性能，但大多數聯(lián)網設備需要在性能和功耗之間實現(xiàn)更高的集成度和靈活性，同時還要求低于 FinFET的成本。格羅方德的22FDX和12FDX工藝為打造下一代智能系統(tǒng)提供了一條新路徑，填補了行業(yè)路線圖的空白。我們的FDX平臺可大幅降低設計成本，重新打開了先進節(jié)點遷移的大門，并促進生態(tài)系統(tǒng)內的進一步創(chuàng)新。”
格羅方德半導體全新的12FDX工藝基于一個12nm全耗盡平面晶體管(FD-SOI)平臺，能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。該平臺支持全節(jié)點縮放，性能比現(xiàn)有FinFET工藝提升了15%，功耗降低了50%。
林利集團的創(chuàng)始人兼首席分析師Linley Gwennap評價說：“芯片制造已經不再是將某一個微縮工藝用于一切產品。雖然FinFET是最高性能產品的首選技術，但對于許多成本敏感型的移動和物聯(lián)網產品來說，其要求以盡可能低的功耗提供仍然足夠的時鐘速度，行業(yè)路線圖并不夠清晰。格羅方德半導體的22FDX和12FDX技術定位恰到好處，填補了這一空缺，為先進節(jié)點設計提供了另一個替代遷移路徑，尤其是針對那些希望降低功耗卻不增加量產成本的設計。格羅方德半導體現(xiàn)在是22nm及以下節(jié)點 FD-SOI的唯一提供者，在業(yè)內擁有明確的差異化特征�！�
VLSI研究的董事長兼首席執(zhí)行官G.Dan Hutcheson說：“格羅方德半導體的22FDX 工藝平臺面世之初，我便注意到了其具備能夠改變市場游戲規(guī)則的一些特性。對于希望實現(xiàn)差異化設計的廠商來說，實現(xiàn)實時權衡功耗和性能是一個不容忽視的問題�，F(xiàn)在格羅方德半導體提供全新的12FDX ，明確顯示了其要為這種技術提供一個路線圖的承諾，尤其是針對物聯(lián)網和汽車市場——這兩者是當下最具顛覆性的市場力量，我相信格羅方德半導體的FD-SOI技術將成為這一顛覆的關鍵推動者。”
IBS, Inc創(chuàng)始人兼CEO Handel Jones表示：“FD-SOI技術能夠為那些需要差異化設計的廠商實現(xiàn)功耗、性能和成本之間的實時權衡。格羅方德推出全新12FDX，提供了業(yè)內首個FD-SOI路線圖，為先進節(jié)點設計提供了一條最低成本的遷移路徑，有助于實現(xiàn)未來的智能客戶端、5G、AV/VR和汽車市場互聯(lián)系統(tǒng)�！�
目前，格羅方德位于德國德累斯頓的正在全力準備進行12FDX平臺的研發(fā)活動和后續(xù)生產。客戶流片預計將于2019年上半年啟動。
中科院院士、上海微系統(tǒng)與信息技術研究所所長王曦博士表示：“我們?yōu)楦窳_方德半導體的12FDX產品和其將為中國客戶帶來的價值感到非常高興。FD-SOI路線圖的拓展，將幫助客戶更好利用FDX技術功耗效率和性能優(yōu)勢，打造出在移動、物聯(lián)網和汽車等市場有競爭力的產品�！�
恩智浦(NXP)半導體i.MX應用處理器產品線副總裁Ron Martino指出：“恩智浦半導體公司的下一代多媒體應用處理器正在使用FD-SOI的優(yōu)勢，以奠定其在汽車、工業(yè)和消費應用中提供超低功耗和按需調整性能的領先地位。格羅方德半導體的12FDX技術將FD-SOI拓展到了下一個節(jié)點，是對這個行業(yè)一個極大的補充。其將會進一步擴大平面結構器件提供更低風險、更廣泛動態(tài)范圍以及更具競爭力性價比的能力，從而實現(xiàn)未來的智能聯(lián)網安全系統(tǒng)�！�
芯原股份有限公司總裁兼首席執(zhí)行官戴偉民說：“芯原股份有限公司利用其平臺化芯片設計服務(SiPaaS)和為片上系統(tǒng)提供一流IP和設計服務的經驗，成為FD-SOI設計的先行者之一。FD-SOI技術的獨特優(yōu)勢為我們在汽車、物聯(lián)網、移動連接和消費電子市場細分領域具備了差異化特征。我們期待擴大和格羅方德半導體的合作，利用其12FDX向我們中國市場的客戶提供高質量、低功耗和經濟高效的解決方案�！�
法國原子能中心科研所(CEA Tech)下屬研究機構CEA-LETI首席執(zhí)行官Marie Semeria指出：“12FDX的發(fā)展將在功耗、性能和智能調節(jié)方面實現(xiàn)另一個突破，因為12nm能夠實現(xiàn)最佳的雙重曝光，而且能夠以最低的制程復雜度提供最好的系統(tǒng)性能和功耗。LETI團隊和格羅方德半導體在美國和德國為了FD-SOI技術的擴展路線圖相互協(xié)作，取得了這個可喜的成果，其將成為實現(xiàn)聯(lián)網設備的片上系統(tǒng)完全集成的最佳平臺�！�
Soitec的首席執(zhí)行官Paul Boudre說：“我們非常高興地看到22FDX擁有強大的發(fā)展動力，擁有非常堅定的無晶圓廠商客戶采用者。格羅方德12FDX技術將進一步擴大FD-SOI的市場普及。Soitec已經做好充分的準備來支持格羅方德半導體，為其提供高產量、高質量的22nm至12nm的FD-SOI襯底�！�
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